Pat

J-GLOBAL ID：200903019266188798

太陽電池

Inventor： 波頭 経裕
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 柏谷 昭司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994281682
Publication number (International publication number)：1996148706
Application date： Nov. 16, 1994
Publication date： Jun. 07, 1996
Summary：

【要約】【目的】 太陽電池に関し、酸化物半導体を用いて太陽電池を構成した場合のn型半導体とp型半導体との界面に於ける不整合性を解消し、損失を小さくしようとする。【構成】 n-SrTiO3 層1及びIn2 O3 中間層2及びIn2 O3 中間層2との間でショットキ障壁を生成するITO薄膜電極3が順に積層された構造を備える。

Claim (excerpt)：

第一の酸化物半導体層及び酸化物中間層及び前記酸化物中間層との間でショットキ障壁を生成する第二の酸化物半導体層が順に積層された構造を備えてなることを特徴とする太陽電池。