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J-GLOBAL ID：200903019266322818

プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法

Inventor： 藤田 敬次 ,  宮島 秀史
Applicant, Patent owner： 株式会社東芝
Agent (1)： 竹村 壽
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999371977
Publication number (International publication number)：2001189308
Application date： Dec. 28, 1999
Publication date： Jul. 10, 2001
Summary：

【要約】【課題】 上部電極に取り付けたガス供給用シャワーノズルの構造を変えて成膜速度の低いところに集中的に成膜ガスを導入して成膜速度の面内均ー性が向上する平行平板型プラズマ処理装置及び方法を提供する。【解決手段】 上部電極4に取り付けた反応ガス供給用シャワーノズルの単位面積当たりの数をウェハ面内で変化させる。これにより成膜速度の低いところに集中的に成膜ガスを導入し、成膜速度の面内均ー性を向上させる。またシャワーノズルの開口面積をウェハ面内で変化させる。これによりガス導入流量を面内で変化させ成膜速度の低い所に集中的にガスを導入して成膜速度の面内均一性を向上させる。またシャワーノズル13を下部電極8上のウェハ16に対して垂直導入するものだけでなく斜め導入する事によって高密度プラズマ中に低い解離効率のガスを積極的に滞在させてガスを分解し成膜速度と膜質の向上を図る。

Claim (excerpt)：

被処理基体を載置する下部電極と、前記下部電極と対向配置された上部電極と、前記上部電極表面又は前記下部電極表面に取り付けられ、前記下部電極又は前記上部電極に対向配置された複数のガス導入口とを備え、前記複数のガス導入口の単位面積あたりの数が前記上部電極の面内位置に応じて異なると共に、前記下部電極と前記上部電極との間に電圧を印加して、プラズマを発生させ、このプラズマを利用して前記被処理基体に所定の処理を施すことを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (5)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46

FI (5)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/40 ,  C23C 16/455 ,  C23C 16/505 ,  H05H 1/46 M

F-Term (39)：

4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA14 ,  4K030BA44 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030EA05 ,  4K030FA01 ,  4K030KA17 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  4K030KA30 ,  4K030LA02 ,  5F045AA08 ,  5F045AB31 ,  5F045AC01 ,  5F045AC02 ,  5F045AC11 ,  5F045AD07 ,  5F045AE17 ,  5F045AF03 ,  5F045BB02 ,  5F045BB09 ,  5F045DP03 ,  5F045EE12 ,  5F045EE17 ,  5F045EE20 ,  5F045EF01 ,  5F045EF05 ,  5F045EF07 ,  5F045EH04 ,  5F045EH05 ,  5F045EH07 ,  5F045EH14 ,  5F045EH16 ,  5F045EH20 ,  5F045EJ05 ,  5F045EJ09 ,  5F045EM05