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J-GLOBAL ID:200903019268995470
窒化ホウ素冷陰極
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
長谷川 芳樹 (外4名)
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):1996529362
Publication number (International publication number):1999504751
Application date: Feb. 16, 1996
Publication date: Apr. 27, 1999
Summary:
【要約】冷陰極がn形窒化ホウ素で形成される。陰極は窒化ホウ素の下に1層のダイヤモンドを含んでもよい。陰極は、レーザアブレーションまたはスパッタリングにより作られる。窒化ホウ素陰極を利用した電子デバイスについても記載されている。
Claim (excerpt):
n形窒化ホウ素を備える陰極。
IPC (5):
H01J 1/30
, C23C 14/06
, H01J 9/02
, H01J 19/24
, H01J 21/04
FI (6):
H01J 1/30 F
, C23C 14/06 J
, H01J 1/30 C
, H01J 9/02 B
, H01J 19/24
, H01J 21/04
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