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J-GLOBAL ID：200903019277181701

配線修正方法

Inventor： 大西 毅 ,  小池 英巳
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 作田 康夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000084690
Publication number (International publication number)：2001267324
Application date： Mar. 22, 2000
Publication date： Sep. 28, 2001
Summary：

【要約】【課題】半導体回路の配線修正において、電子ビームテスタによる電位評価が容易に行える配線露出状態でも、高性能の配線変更が安全に行える手法を提供する。【解決手段】半導体集積回路における配線変更時の配線接続を下記手順で行う。?@第1の接続点に集束イオンビームFIBを利用したデポジション膜により柱構造を形成する工程。?A第2の接続点にFIBを利用したデポジション膜により柱構造を形成する工程。?B第1と第2の接続点に形成された柱構造上に予め加工された配線を移植して、第1と第2の接続点を電気的及び機械的に接続する工程。

Claim (excerpt)：

主に半導体集積回路の配線を変更修正する方法であって、回路の新規接続支路を下記手順で形成する配線修正方法。?@第1の接続点に集束イオンビーム(Focused Ion Beam:以下FIB と略す)を利用したデポジション膜により柱構造を形成する工程。?A第2の接続点にFIBを利用したデポジション膜により柱構造を形成する工程。?B第1と第2の接続点に形成された柱構造上に予め加工された配線を移植して、第1と第2の接続点を電気的及び機械的に接続する工程。

IPC (2)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/285

FI (2)：

H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 Z

F-Term (11)：

4M104BB18 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104DD46 ,  5F033HH19 ,  5F033PP03 ,  5F033PP07 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ14 ,  5F033VV04 ,  5F033XX36