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J-GLOBAL ID：200903019283996385
半導体装置の製造方法
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992170584
Publication number (International publication number)：1994013402
Application date： Jun. 29, 1992
Publication date： Jan. 21, 1994
Summary：
【要約】【目的】 この発明は、ゲート絶縁膜の劣化を防止し得る半導体装置の製造方法を提供しようとするものである。【構成】 ゲート絶縁膜2上に非晶質シリコンを堆積させ、この非晶質シリコンに熱処理を施し、再結晶化させ、多結晶シリコン膜3に変える。このような方法であると、再結晶化された多結晶シリコン膜3の結晶粒径を大きくできる。結晶粒径が大きいと、その表面から高融点金属によるシリサイデーション反応を行っても、その金属のゲート絶縁膜2までの拡散が阻止され、拡散金属によるゲート絶縁膜2の劣化が防止される。
Claim (excerpt)：
シリコン基板上にゲ-ト絶縁膜として機能する第1の絶縁膜を形成する工程と、前記第1の絶縁膜上に非晶質シリコン膜を形成する工程と、前記非晶質シリコン膜に熱処理を施して結晶成長させ、多結晶シリコン膜とする工程と、前記多結晶シリコン膜に不純物を拡散させる工程と、前記多結晶シリコン膜をパターニングして所望のゲ-ト電極パタ-ンを形成する工程と、前記基板の上方に第2の絶縁膜を形成する工程と、前記第2の絶縁膜を異方性エッチングして、パターニングされた多結晶シリコン膜の側壁のみにこの第2の前記絶縁膜を残す工程と、前記基板上の選ばれた領域、および前記ゲ-ト電極パタ-ンの上部領域それぞれの表面にシリコンを露出させる工程と、シリサイドを形成するための金属を前記基板の上方に形成する工程と、不活性ガス又は還元性ガス雰囲気中で熱処理を施して、前記基板上の選ばれた領域に露出したシリコンと前記金属、および前記ゲ-ト電極パタ-ンの上部領域に露出したシリコンと前記金属とをそれぞれ反応させ、シリサイドを形成する工程と、前記金属のうち未反応の部分を除去する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4)：
H01L 21/336
, H01L 29/784
, H01L 21/28 301
, H01L 29/62
Cited by examiner (6)
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