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J-GLOBAL ID：200903019293437473
半導体レーザ温度制御回路
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
絹谷 信雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001220148
Publication number (International publication number)：2003031893
Application date： Jul. 19, 2001
Publication date： Jan. 31, 2003
Summary：
【要約】【課題】 光出力を変化させても半導体レーザの発振波長を正確に安定化でき、高密度に波長多重することができる半導体レーザ温度制御回路を提供する。【解決手段】 温度によって発振波長の変化する半導体レーザ1の駆動電流11やレーザ光出力の変化によって発振波長が変動しても、常にこの駆動電流やレーザ光出力の変化に応じて半導体レーザ1の設定温度が基準電圧補正回路15で補正されるため、発振波長の変動を抑えることができる。
Claim (excerpt)：
半導体レーザの温度をサーミスタで検出し、該半導体レーザの温度をペルチェ素子により制御することにより上記半導体レーザの発振波長を一定に保つ半導体レーザ温度制御回路において、上記サーミスタで検出した温度を電圧に変換する温度電圧変換回路と、設定温度を決めるための基準電圧を発生する基準電圧源と、上記半導体レーザの駆動電流に応じて上記基準電圧に補正電圧を加える基準電圧補正回路と、上記温度電圧変換器から出力される電圧と上記基準電圧補正回路から出力される電圧とを比較してその誤差電圧が零になるように上記ペルチェ素子の温度を制御するペルチェ素子駆動回路とを備えたことを特徴とする半導体レーザ温度制御回路。
IPC (2)：
FI (2)：
F-Term (6)：
5F073BA01
, 5F073EA03
, 5F073GA12
, 5F073GA14
, 5F073GA15
, 5F073GA21
