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J-GLOBAL ID：200903019296095107

光結合型半導体リレー

Inventor： 宮島 久和 ,  山口 周一郎 ,  荻原 淳 ,  杉浦 義幸
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 佐藤 成示 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995242644
Publication number (International publication number)：1997093107
Application date： Sep. 21, 1995
Publication date： Apr. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】 発光ダイオードが過大な光信号を発した場合の誤動作を防止する。【解決手段】 発光ダイオード1と、発光ダイオード1の光信号を受光するフォトダイオードアレイ2と、フォトダイオードアレイ2の光起電力が、ゲート・ソース間に印加される出力用MOSFET3と、ゲートがフォトダイオードアレイ2のカソードに接続された、ノーマリ・オン型の第1MOSFET4と、出力用MOSFET3のソースとフォトダイオードアレイ2のカソード間に接続された高抵抗素子9と、第1MOSFET4のソースとフォトダイオードアレイ2のカソード間に接続された抵抗素子10とを備えた。

Claim (excerpt)：

入力信号に応答して光信号を発する発光ダイオードと、その発光ダイオードの光信号を受光するように配置されたフォトダイオードアレイと、そのフォトダイオードアレイの光起電力が、ゲート・ソース間に印加されて、ドレイン・ソース間が非導通状態から導通状態に切り替わる出力用MOSFETと、ゲートが前記フォトダイオードアレイのカソードに接続された、前記出力用MOSFETのゲート・ソース間の蓄積電荷の放電経路を形成するノーマリ・オン型の第1MOSFETと、前記出力用MOSFETのソースと前記フォトダイオードアレイのカソード間に接続された高抵抗素子と、前記第1MOSFETのソースと前記フォトダイオードアレイのカソード間に接続された、前記第1MOSFETを制御する抵抗素子とからなることを特徴とする光結合型半導体リレー。

IPC (2)：

H03K 17/78 ,  H01L 31/12

FI (3)：

H03K 17/78 J ,  H03K 17/78 B ,  H01L 31/12 F