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J-GLOBAL ID：200903019316162264

GaN系半導体素子

Inventor：
齋藤 渉

About 齋藤 渉


Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

About 株式会社東芝


Agent (1)： 日向寺 雅彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2006185282
Publication number (International publication number)：2008016588
Application date： Jul. 05, 2006
Publication date： Jan. 24, 2008
Summary：
【課題】リーク電流が低いGaN系半導体素子を提供する。【解決手段】横型のパワーHFET21において、AlxInyGa1-x-yN(0<x<1、0<y<1、x+y<1)からなるAlInGaN層1と、アンドープのGaNからなるGaN層2と、アンドープ又はn型のAlzGa1-zN(0<z<1)からなるAlGaN層3とがこの順に積層されており、AlGaN層3上には、ソース電極4、ドレイン電極5及びゲート電極6が設けられている。AlInGaN層1においては、0.4x≦y≦0.53xとなっている。そして、AlInGaN層1のバンドギャップは、GaN層2のバンドギャップよりも大きい。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
Alの組成比をx(0<x<1)とし、Inの組成比をy(0<y<1、x+y<1)としたときに、AlxInyGa1-x-yNからなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層上に形成され、アンドープGaNからなる第2の半導体層と、 Alの組成比をz(0<z<1)としたときに、前記第2の半導体層上に形成され、アンドープ又はn型のAlzGa1-zNからなる第3の半導体層と、 前記第3の半導体層上に形成された制御電極と、 前記第3の半導体層に接続された第1の主電極と、 前記第3の半導体層に接続された第2の主電極と、 を備え、 前記第1の半導体層のバンドギャップは、前記第2の半導体層のバンドギャップよりも大きいことを特徴とするGaN系半導体素子。
IPC (3)：
H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (1)：
H01L29/80 H
F-Term (16)：
5F102FA01 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GQ03 ,  5F102GQ09 ,  5F102GR07 ,  5F102GR13
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)

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