有磁場マイクロ波プラズマ処理装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：薄田利幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991071163
Publication number (International publication number)：1994120148
Application date： Apr. 03, 1991
Publication date： Apr. 28, 1994
Summary：

【要約】【目的】有磁場マイクロ波プラズマ処理装置の排気口等の空間の所定の位置にマイクロ波反射部材を設け、大面積にわたる均一処理を可能にする。【構成】真空室1に接続された排気口18等空間のうち、少なくとも電子サイクロトロン共鳴面20、試料保持面、及びマイクロ波が試料に達するまでに通過する部分に金属メッシュ等の導電性材料からなる反射部材12を設置した。加えて大面積均一処理を可能にするため、上記反射部材12を真空室1内壁とほぼ同一の形状となるように配置した。これによりマイクロ波に対して真空室1の対称性が向上し、均一なマイクロ波の伝搬が可能となる。【効果】本発明によれば、電子サイクロトロン共鳴面20、試料保持面等においてマイクロ波に対する装置の対称性を向上させることにより、排気コンダクタンスを十分確保した上で大面積にわたって均一な処理が可能となる。

Claim (excerpt)：

真空室に、真空排気手段と、試料保持手段と、反応ガスおよび放電ガス導入手段と、電子サイクロトロン共鳴を起こすための磁場形成手段と、マイクロ波電力供給手段とを備え、前記真空排気手段の排気口の少なくとも一部をマイクロ波導入窓から試料保持手段の少なくとも試料保持面に至る間の真空室側壁面に存在するように配設すると共に、前記磁場形成手段により形成される電子サイクロトロン共鳴面を前記マイクロ波導入窓から前記試料保持面に至る間の空間位置に形成するようにしたマイクロ波プラズマ処理装置であって、前記真空室側壁面をマイクロ波反射部材で構成し、マイクロ波の軸対称性を保持するようにして成る有磁場マイクロ波プラズマ処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 , H01L 21/223 , H01L 21/302

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭63-239813
特開昭62-271431
特開平1-183812

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