薄膜デバイスの転写方法,薄膜デバイス,薄膜集積回路装置,アクティブマトリクス基板および液晶表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：井上一 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997242198
Publication number (International publication number)：1999074533
Application date： Aug. 22, 1997
Publication date： Mar. 16, 1999
Summary：

【要約】【課題】薄膜デバイスの製造時に使用する基板と、製品の実使用時に使用する基板とを、独立に自由に選択することができ、しかも、薄膜デバイスの特性を劣化させない新規な技術を提供することである。【解決手段】信頼性が高く、かつレーザー光が透過可能な基板(100)上に分離層となるアモルファスシリコン層(120)を設けておき、その基板上にTFT等の薄膜デバイス(140)を形成する。基板側からレーザー光を照射し、これによって分離層において剥離を生じせしめる。その薄膜デバイスを接着層(160)を介して転写体(180)に接合し、基板(100)を離脱させる。これにより、どのような基板にでも所望の薄膜デバイスを転写できる。分離層の膜厚は、光照射時にアブレーションを生ずる膜厚例えば10nm程度としておく。

Claim (excerpt)：

基板上の薄膜デバイスを含む被転写層を転写体に転写する方法であって、前記基板上にアモルファスシリコン層を形成する第1工程と、前記アモルファスシリコン層上に前記薄膜デバイスを含む前記被転写層を形成する第2工程と、前記薄膜デバイスを含む前記被転写層を接着層を介して前記転写体に接合する第3工程と、前記基板を介して前記アモルファスシリコン層に光を照射し、前記アモルファスシリコン層の層内および/または界面において剥離を生じさせて、前記基板と前記被転写層との結合力を低下させる第4工程と、前記基板を前記アモルファスシリコン層から離脱させる第5工程と、を有し、前記第2工程にて形成される前記被転写層は薄膜トランジスタを含み、前記第1工程にて形成される前記アモルファスシリコン層の膜厚は、前記第2工程にて形成される前記薄膜トランジスタのチャネル層の膜厚よりも薄く形成されることを特徴とする薄膜デバイスの転写方法。

IPC (4)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , G09F 9/00 342

FI (5)：

H01L 29/78 627 D , G02F 1/136 500 , G09F 9/00 342 C , H01L 29/78 612 B , H01L 29/78 627 Z

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

特表平6-504139
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Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-350543 Applicant：加藤忠信

Cited by examiner (1)

特表平6-504139

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