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J-GLOBAL ID:200903019342587982

発光装置及びその製造方法

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000368603
Publication number (International publication number):2002170999
Application date: Dec. 04, 2000
Publication date: Jun. 14, 2002
Summary:
【要約】【課題】 本発明は半導体発光素子及び蛍光体を利用した発光装置に係わり、特に、高輝度且つ色バラツキの少ない発光装置を提供することを目的とする。【解決手段】上記目的を達成するために本発明は、可視光が発光可能な半導体発光素子と、半導体発光素子からの発光を吸収しこの発光よりも長波長の可視光を発光する蛍光体とを有する発光装置であって、半導体発光素子は少なくとも同色系が発光可能な半導体発光素子を2個以上有すると共に、半導体発光素子はそれぞれ同色系の半導体発光素子を一定の波長範囲ごとに分類した複数の発光波長域のうち、主発光波長が第1の発光波長域内である半導体発光素子群から選択された第1の半導体発光素子と、第1の発光波長域よりも主発光波長が長波長側にある第2の発光波長域内の半導体発光素子群から選択された第2の半導体発光素子である発光装置とする。
Claim (excerpt):
可視光が発光可能な半導体発光素子と、該半導体発光素子からの発光を吸収しこの発光よりも長波長の可視光を発光する蛍光体とを有する発光装置であって、前記半導体発光素子は少なくとも同色系が発光可能な半導体発光素子を2個以上有すると共に、該半導体発光素子はそれぞれ同色系の半導体発光素子を一定の波長範囲ごとに分類した複数の発光波長域のうち、主発光波長が第1の発光波長域内である半導体発光素子群から選択された第1の半導体発光素子と、前記第1の発光波長域よりも主発光波長が長波長側にある第2の発光波長域内の半導体発光素子群から選択された第2の半導体発光素子であることを特徴とする発光装置。
IPC (2):
H01L 33/00 ,  C09K 11/08
FI (2):
H01L 33/00 N ,  C09K 11/08 J
F-Term (28):
4H001CA01 ,  4H001CA02 ,  4H001CC14 ,  5F041AA10 ,  5F041AA14 ,  5F041CA02 ,  5F041CA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA36 ,  5F041CA37 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041DA02 ,  5F041DA07 ,  5F041DA13 ,  5F041DA18 ,  5F041DA20 ,  5F041DA44 ,  5F041DB01 ,  5F041DB09 ,  5F041EE25 ,  5F041FF01 ,  5F041FF11
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
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