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J-GLOBAL ID：200903019343209639

高周波集積回路

Inventor： 田口 隆志 ,  松ヶ谷 和沖 ,  筈見 浩史 ,  犬塚 肇
Applicant, Patent owner： 株式会社デンソー
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998156194
Publication number (International publication number)：1999355003
Application date： Jun. 04, 1998
Publication date： Dec. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】新規な構成にて安価な高周波集積回路を提供する。【解決手段】シリコン基板1上にはマイクロストリップ線路2が直接形成され、シリコン基板1の抵抗率は1000Ωcm以上である。マイクロストリップ線路2は分岐部α,β,γにて計4本に分岐されている。シリコン基板1の裏面には裏面電極が形成され、裏面電極は接地されている。このマイクロストリップ線路2は、線路幅が50μm以上であり、線路厚さは動作周波数における表皮深さの1.5倍以上である。動作周波数が60GHz以上であり、詳しくは76GHzである。4本に分岐した線路2a,2b,2c,2dはアンテナA,B,C,Dとつながっている。この分岐した線路2a,2b,2c,2dには、メカトロニクススイッチSW1〜SW4が設けられている。

Claim (excerpt)：

高周波伝送線路と、この線路途中に設けられるスイッチング素子とをシリコン基板上に配置したことを特徴とする高周波集積回路。

IPC (3)：

H01P 1/12 ,  H01H 59/00 ,  H01L 27/095

FI (3)：

H01P 1/12 ,  H01H 59/00 ,  H01L 29/80 E