多層埋め込みトレンチアイソレーション

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：宮田金雄 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996059059
Publication number (International publication number)：1997252049
Application date： Mar. 15, 1996
Publication date： Sep. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】本発明は、トレンチアイソレーション形成後の能動素子形成工程においても、トレンチ充填材料のエッチングによる分離性能の劣化が発生しない高集積回路用トレンチアイソレーションを提供する。【解決手段】高アスペクト比を有するトレンチの底部に、TEOSから形成される酸化物をアスペクト比2以下となる埋め込み部を残すレベルまで嵩上げ積層した後、上記埋め込み部にHTOを充填してトレンチアイソレーションを形成する。

Claim (excerpt)：

アスペクト比3以上の埋め込み部を有するMOSLSIのトレンチアイソレーションであって、該アスペクト比3以上の埋め込み部下部のトレンチ内の埋め込み層がトレンチ底部にCVDにより積層可能で、少なくともアスペクト比2以下となる埋め込み部を残すレベルまで底部から嵩上げ積層される第1絶縁層と、該第1絶縁層上に積層されるアスペクト比2以下の埋め込み部に積層可能で、熱酸化膜のエッチング時にトレンチ内までエッチングされないエッチング速度を有する第2絶縁層とを少なくとも備えることを特徴とする多層埋め込みトレンチアイソレーション。

IPC (3)：

H01L 21/76 , H01L 21/316 , H01L 27/08 331

FI (3)：

H01L 21/76 L , H01L 21/316 X , H01L 27/08 331 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (7)

半導体集積回路装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-120894 Applicant：株式会社日立製作所
特開平3-153031
特開昭63-228732

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