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J-GLOBAL ID：200903019383969717

レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法

Inventor：
水谷 一良

About 水谷 一良


Applicant, Patent owner：
富士フイルム株式会社

About 富士フイルム株式会社


Agent (5)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  矢澤 清純
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005275883
Publication number (International publication number)：2007086479
Application date： Sep. 22, 2005
Publication date： Apr. 05, 2007
Summary：
【課題】IC等の半導体製造工程、液晶、サーマルヘッド等の回路基板の製造、さらにその他のフォトファブリケーション工程などに使用されるポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することであり、解像力、ラインエッジラフネス、エッチング速度比が良好なレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供することにある。【解決手段】(A)ラクトン基とナフタレン環を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するレジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。【選択図】なし
Claim (excerpt)：
(A)ラクトン基とナフタレン環を有する繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液への溶解性が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有するレジスト組成物。
IPC (3)：
G03F 7/039 ,  C08F 20/30 ,  H01L 21/027
FI (3)：
G03F7/039 601 ,  C08F20/30 ,  H01L21/30 502R
F-Term (19)：
2H025AB16 ,  2H025AB17 ,  2H025AC04 ,  2H025AC06 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BG00 ,  2H025FA03 ,  2H025FA12 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08P ,  4J100BA02P ,  4J100BA15P ,  4J100BC49P ,  4J100BC53P ,  4J100CA01 ,  4J100CA03 ,  4J100JA38
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (6)
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