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J-GLOBAL ID：200903019389014646
シリコン基板ビアホール形成方法およびマルチチツプモジユール製造方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
井桁 貞一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991305103
Publication number (International publication number)：1993144978
Application date： Nov. 20, 1991
Publication date： Jun. 11, 1993
Summary：
【要約】【目的】 本発明は,セラミック基板を用いた実装構造のマルチチップモジューの配線用中間板の製造に関し,シリコン製中間板の製造工程を大幅に簡略化し,必要な絶縁性を満たしたビアホールを形成することを目的とする。【構成】 酸素,或いは,窒素等のアシストガス1雰囲気中でシリコン基板2にレーザ光3を照射し,シリコン基板2を貫通するビアホール4を形成すると同時に,ビアホール4の内壁に絶縁膜5を形成するように,また,前記シリコン基板2を,半導体チップ6を搭載する配線用の中間板7として用い,中間板7をセラミック基板8に搭載するように構成する。
Claim (excerpt)：
酸素,或いは,窒素等のアシストガス(1) 雰囲気中でシリコン基板(2) にレーザビームを照射し,該シリコン基板(2)を貫通するビアホール(4) を形成すると同時に,該ビアホール(4) の内壁に絶縁膜(5) を形成することを特徴とするシリコン基板ビアホール形成方法。
IPC (4)：
H01L 23/14
, B23K 26/00 330
, H01L 25/04
, H01L 25/18
H01L 23/14 S
, H01L 25/04 Z
