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J-GLOBAL ID：200903019401759377

複数のサブモジュールを有するパワー半導体モジュール

Inventor： ラインホルト バイエラー
Applicant, Patent owner： アセア ブラウン ボヴエリ アクチエンゲゼルシヤフト
Agent (1)： 中村 稔 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996306297
Publication number (International publication number)：1997172136
Application date： Nov. 18, 1996
Publication date： Jun. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】低インダクタンスで、内部と電源ラインは大きなスペースをとることなく簡単な構造で高い安定性を有するパワー半導体モジュールを提供する。【解決手段】共通のベース板上に互いに隣に配置され電気的に相互接続され、板状の導体によって低インダクタンスの方法で電源側に外部的に接続される複数のサブモジュールを有するパワー半導体モジュールにおいて、スペース要求の減少は、板状の導体40、43が各々サブモジュール上の面に自己支持手段で配置される。その面は互いにおよびサブモジュールから電気的に〔sic〕絶縁するのに充分な垂直離間を有しており、そして板状の導体40、43は他の、垂直導電素子38a,b、42a-cを介して個々のサブモジュールに電気的に接続されていることによって達成される。

Claim (excerpt)：

共通のベース板(35)上に互いに隣り合って配置され、電気的に相互接続され、且つ板状の導体によって低インダクタンスで電源側に外部的に接続された複数のサブモジュール(10,37a-c)を有するパワー半導体モジュール34において、前記板状の導体(40,43)の各々は、サブモジュール(10,37a-c)上の面に自己支持するように配置され、その面は互いに、そして電気的に絶縁するのに充分なサブモジュールから垂直離間しており、且つ前記板状の導体(40,43)は、付加的な、垂直の導電素子(31、38a,b、42a-c)を介して個々のサブモジュール(10、37a-c)に電気的に接続されていることを特徴とするパワー半導体モジュール。

IPC (3)：

H01L 25/00 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (2)：

H01L 25/00 A ,  H01L 25/04 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体電力変換装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-111674   Applicant：株式会社東芝
• 特開平3-097257
  
• 特開昭62-108552