化学増幅型ポジ型レジスト組成物及びスルホニウム塩

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：久保山隆 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001184546
Publication number (International publication number)：2002116546
Application date： Jun. 19, 2001
Publication date： Apr. 19, 2002
Summary：

【要約】【課題】感度や解像度などの各種のレジスト性能が良好であるとともに、特に改善されたラインエッジラフネスを与える化学増幅型ポジ型レジスト組成物。【解決手段】酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂及び酸発生剤を含有する化学増幅型ポジ型レジスト組成物であって、該酸発生剤として、下式(I)で示されるスルホニウム塩及び下式(I’)で示されるスルホニウム塩から選ばれる少なくとも1種のスルホニウム塩と、及びから選ばれる少なくとも1種のオニウム塩とを併用する。

Claim (excerpt)：

下式(I)で示されるスルホニウム塩及び下式(I’)で示されるスルホニウム塩(式中、Q1、Q2は、互いに独立に、炭素数1〜6のアルキル基、又は炭素数3〜10のシクロアルキル基を表す。Q3は、水素原子を表し、Q4は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を表すか、又はQ3とQ4が隣接するCHC(O)基と一緒になって2-オキソシクロアルキル基を表す。Q5SO3-は有機スルホナートイオンを表す。但し、Q5が炭素数1〜8のパーフルオロアルキル基を表す場合は、Q3とQ4が隣接するCHC(O)基と一緒になって2-オキソシクロヘキシル基を表す場合を除く。)(式中、Qは、記載のS+とともに環を完成する炭素数3〜7の脂環式炭化水素基を表す。該脂環式炭化水素基は、ケトン基を有していてもよく、また該脂環式炭化水素基の少なくとも1個の-CH2-が酸素原子もしくは硫黄原子に置換されていてもよい。Q3は、水素原子を表し、Q4は炭素数1〜6のアルキル基、炭素数3〜10のシクロアルキル基を表すか、又はQ3とQ4が隣接するCHC(O)基と一緒になって2-オキソシクロアルキル基を表す。Q5SO3-は有機スルホナートイオンを表す。)から選ばれる少なくとも1種のスルホニウム塩と、下式(IIa)で示されるトリフェニルスルホニウム塩及び下式(IIb)で示されるジフェニルヨードニウム塩(式中、P1〜P3は、互いに独立に、水素、水酸基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表し、P6SO3-は、有機スルホナートイオンを表す。)(式中、P4、P5は、互いに独立に、水素、水酸基、炭素数1〜6のアルキル基又は炭素数1〜6のアルコキシ基を表し、P7SO3-は、有機スルホナートイオンを表す。)から選ばれる少なくとも1種のオニウム塩とを含む酸発生剤、並びに、酸に不安定な基を持つ重合単位を有し、それ自身はアルカリに不溶又は難溶であるが、酸の作用でアルカリに可溶となる樹脂を含有することを特徴とする化学増幅型ポジ型レジスト組成物。

IPC (5)：

G03F 7/039 601 , C07C381/12 , C07D333/46 , G03F 7/004 503 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/039 601 , C07C381/12 , C07D333/46 , G03F 7/004 503 A , H01L 21/30 502 R

F-Term (17)：

2H025AA01 , 2H025AA02 , 2H025AA03 , 2H025AA09 , 2H025AB16 , 2H025AC04 , 2H025AC08 , 2H025AD03 , 2H025BE00 , 2H025BE07 , 2H025BG00 , 2H025FA03 , 2H025FA12 , 2H025FA17 , 4H006AA01 , 4H006AA03 , 4H006AB80

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

感放射線性樹脂組成物
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-219125 Applicant：日本合成ゴム株式会社

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