Pat

J-GLOBAL ID：200903019443157458

気相成長装置

Inventor： 玉村 好司 ,  平井 寛一郎
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993180327
Publication number (International publication number)：1995037809
Application date： Jul. 21, 1993
Publication date： Feb. 07, 1995
Summary：

【要約】【目的】 簡潔な装置構造により、原料ガスの高効率利用化をはかり、取扱の簡便化、コストの低減化をはかることのでき、更に成膜の膜質の向上をはかる。【構成】 キャリアガス一般には水素ガスを、10Torr〜60Torrの真空度で、対向電極1及び2間に70V〜110Vの電圧を印加して放電させて活性化して原料ガスと共に、被気相成長基体4上に送り込んで、この被気相成長基体4上に原料ガスの分解による目的とする薄膜の気相成長を行う。

Claim (excerpt)：

キャリアガスを、10Torr〜60Torrの真空度で、対向電極間に70V〜110Vの電圧を印加して放電させて活性化して原料ガスと共に、被気相成長基体上に送り込んで、該被気相成長基体上に上記原料ガスの分解による目的とする薄膜の気相成長を行うことを特徴とする気相成長装置。