化学増幅型レジスト材料

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：平井順二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997178911
Publication number (International publication number)：1998062997
Application date： Jan. 30, 1991
Publication date： Mar. 06, 1998
Summary：

【要約】【課題】300nm以下の光源、例えばKrFエキシマレーザ光(248.4nm)等の露光用レジスト材料として用いた場合には、サブミクロンオーダーの形状の良い微細なパターンが容易に得られるレジスト材料及びこれを用いたパターン形成方法の提供。【解決手段】露光により感光性化合物から発生した酸の共存下、加熱により化学変化を受けてアルカリ可溶性となる官能基を有するモノマー単位と、フェノール性水酸基を有するモノマー単位と要すれば第三のモノマー単位とから構成される重合体と、248.4nm付近の光透過性が高く、且つ露光又は照射により酸を発生する感光性化合物とを用いる点に特徴を有するレジスト材料。

Claim (excerpt)：

下記一般式〔1〕【化1】[式中、R1はメチル基、イソプロピル基、tert-ブチル基、テトラヒドロピラニル基又はtert-ブトキシカルボニル基を表わし、R2は水素原子又はメチル基を表わし、k及びlは夫々独立して自然数{但し、k/(k+l)=0.1〜0.9である。}を表わす。]で示される重合体と、下記一般式〔6〕、一般式〔11〕、一般式〔13〕又は一般式〔14〕で示される露光により酸を発生する感光性化合物と、これらを溶解可能な溶剤を含んで成る事を特徴とするレジスト材料。【化2】[式中、R9及びR10は夫々独立して炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、炭素数1〜10のハロアルキル基又は一般式〔7〕【化3】(式中、R11及びR12は夫々独立して水素原子、炭素数1〜5の低級アルキル基又は炭素数1〜5のハロアルキル基を表わし、nは0又は自然数を表わす。)で示される基を表わし、Xはカルボニル基、カルボニルオキシ基又はスルホニル基を表わす。]【化4】[式中、R13は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、トリフルオロメチル基又は一般式〔12〕【化5】(式中、R17は水素原子又はメチル基を表わす。)で示される基を表わし、R14及びR15は夫々独立して水素原子又は炭素数1〜5の低級アルキル基を表わし、R16は炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基、フェニル基、ハロゲン置換フェニル基、アルキル置換フェニル基、アルコキシ置換フェニル基又はアルキルチオ置換フェニル基を表わす。]【化6】(式中、R18、R19、R20及びR21は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子、炭素数1〜10の直鎖状、分枝状又は環状のアルキル基又は炭素数1〜10のアルコキシ基を表わし、Z-はパークロレートイオン、p-トルエンスルホネートイオン又はトリフルオロメタンスルホネートイオンを表わす。)【化7】(式中、R22はトリクロルアセチル基、p-トルエンスルホニル基、p-トリフルオロメチルベンゼンスルホニル基、メタンスルホニル基又はトリフルオロメタンスルホニル基を表わし、R23およびR24は夫々独立して水素原子、ハロゲン原子又はニトロ基を表わす。)

IPC (5)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 , G03F 7/033 , H01L 21/027

FI (5)：

G03F 7/039 601 , G03F 7/004 501 , G03F 7/004 503 A , G03F 7/033 , H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

特開平2-018564
特開平2-019847
特開平2-248952

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