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J-GLOBAL ID:200903019453318379

ひずみゲージ

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (5): 志賀 正武 ,  渡邊 隆 ,  青山 正和 ,  村山 靖彦 ,  実広 信哉
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003522800
Publication number (International publication number):2004538494
Application date: Aug. 26, 2002
Publication date: Dec. 24, 2004
Summary:
本発明は、抵抗層を備えるひずみゲージを提供する。抵抗層は、金属のまたは半導性のナノ粒子またはその凝集体を含み、抵抗層においてナノ粒子またはその凝集体は絶縁性および/または半導性材料により分離されている。
Claim (excerpt):
抵抗層を備え、抵抗層が金属もしくは半導性のナノ粒子またはその凝集体を含み、当該ナノ粒子またはその凝集体が絶縁性および/または半導性材料により分離されているひずみゲージ。
IPC (2):
G01L1/20 ,  B32B7/02
FI (2):
G01L1/20 Z ,  B32B7/02 104
F-Term (15):
4F100AB01A ,  4F100AB24A ,  4F100AB25A ,  4F100AK01A ,  4F100AL05A ,  4F100AT00B ,  4F100BA02 ,  4F100BA10A ,  4F100BA10B ,  4F100BA10C ,  4F100DE01A ,  4F100DJ00A ,  4F100GB41 ,  4F100JG04A ,  4F100JG04C

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