Pat
J-GLOBAL ID:200903019453318379
ひずみゲージ
Inventor:
,
,
,
Applicant, Patent owner:
,
Agent (5):
志賀 正武
, 渡邊 隆
, 青山 正和
, 村山 靖彦
, 実広 信哉
Gazette classification:公表公報
Application number (International application number):2003522800
Publication number (International publication number):2004538494
Application date: Aug. 26, 2002
Publication date: Dec. 24, 2004
Summary:
本発明は、抵抗層を備えるひずみゲージを提供する。抵抗層は、金属のまたは半導性のナノ粒子またはその凝集体を含み、抵抗層においてナノ粒子またはその凝集体は絶縁性および/または半導性材料により分離されている。
Claim (excerpt):
抵抗層を備え、抵抗層が金属もしくは半導性のナノ粒子またはその凝集体を含み、当該ナノ粒子またはその凝集体が絶縁性および/または半導性材料により分離されているひずみゲージ。
IPC (2):
FI (2):
G01L1/20 Z
, B32B7/02 104
F-Term (15):
4F100AB01A
, 4F100AB24A
, 4F100AB25A
, 4F100AK01A
, 4F100AL05A
, 4F100AT00B
, 4F100BA02
, 4F100BA10A
, 4F100BA10B
, 4F100BA10C
, 4F100DE01A
, 4F100DJ00A
, 4F100GB41
, 4F100JG04A
, 4F100JG04C
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