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J-GLOBAL ID：200903019454385290

半導体相変化モニタ方法及びこれを用いた半導体結晶化方法

Inventor： 香野 淳 ,  鮫島 俊之 ,  佐野 直樹 ,  原 昌輝 ,  関谷 光信 ,  金谷 康弘 ,  矢野 三千久
Applicant, Patent owner： ソニー株式会社
Agent (1)： 松隈 秀盛
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993030562
Publication number (International publication number)：1994244255
Application date： Feb. 19, 1993
Publication date： Sep. 02, 1994
Summary：

【要約】【目的】 半導体のエネルギービーム照射による相変化を確実に行い、結晶化を安定に行えるようにする。【構成】 エネルギービームを半導体3に照射して、この半導体3を相変化する際に、半導体3の物理特性の変化を測定することにより、相変化をモニタする。

Claim (excerpt)：

エネルギービームを半導体に照射して、上記半導体を相変化する際に、上記半導体の物理特性の変化を測定することにより、上記半導体の相変化をモニタすることを特徴とする半導体相変化モニタ方法。

IPC (5)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/55 ,  G01N 25/02 ,  G01N 27/18 ,  H01L 21/324

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

• 特開昭58-112327
  
• 特開平3-097219
  
• 特開平4-043661
  
• 特開昭56-122940
  
• 特開昭58-112327
  
• 特開平3-097219
  
• 特開平4-043661
  
• 特開昭56-122940