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J-GLOBAL ID：200903019455241780

樹脂封止型半導体装置

Inventor： 小角 博義 ,  江口 州志 ,  石井 利昭 ,  永井 晃 ,  荻野 雅彦 ,  服部 理恵
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996020901
Publication number (International publication number)：1997208669
Application date： Feb. 07, 1996
Publication date： Aug. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】樹脂封止型半導体装置の耐リフロー性,耐湿信頼性,高温放置信頼性の向上。【解決手段】エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と充填剤とを含むエポキシ樹脂組成物によって封止された樹脂封止型半導体装置において、【化8】(式中、R1及びR2は水素原子またはC1〜C4のアルキル基またはアルコキシ基を表し、互いに同じであっても異なっていても良い。nは1〜5の整数を示す)で表される有機リン系化合物を硬化促進剤とし、【化9】(式中、nは0〜5の整数を示す)で表されるフェノール系樹脂を硬化剤としたエポキシ樹脂組成物を封止材料とした。【化10】【化11】

Claim (excerpt)：

エポキシ樹脂と硬化剤と硬化促進剤と充填剤等とを含むエポキシ樹脂組成物によって封止された樹脂封止型半導体装置において、前記硬化促進剤が一般式【化1】(式中、R1及びR2は水素原子またはC1〜C4のアルキル基またはアルコキシ基を表し、互いに同じであっても異なっていても良い。nは1〜5の整数を示す)で表される有機リン系化合物であり、前記硬化剤が一般式【化2】(式中、nは0〜5の整数を示す)で表されるフェノール系樹脂であることを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (4)：

C08G 59/40 NHX ,  C08G 59/68 NKL ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3)：

C08G 59/40 NHX ,  C08G 59/68 NKL ,  H01L 23/30 R