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J-GLOBAL ID：200903019456523003

銅酸化物超電導体及びその製造方法

Inventor： 郡山 慎一 ,  池町 隆明 ,  山内 尚雄
Applicant, Patent owner： 財団法人国際超電導産業技術研究センター ,  京セラ株式会社 ,  三洋電機株式会社
Agent (1)： 秋田 収喜
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991324400
Publication number (International publication number)：1996143311
Application date： Dec. 09, 1991
Publication date： Jun. 04, 1996
Summary：

【要約】【目的】 機械的加工により粒子配向しやすい偏平状粒子の124型超電導体及び123型超電導体の材料ならびにその製造方法を提供する。【構成】 (R1-xCax)(Ba1-yAy)2(Cu1-zMz)4O8又は(R1-xCax)(Ba1-yAy)2(Cu1-zMz)3O7の化学組成でRがそれぞれNd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luの希土類元素とYのうち少なくとも1種類、AがCa、Sr、Laのうち少なくとも1種類、MがAl、Fe、Co、Gaのうち少なくとも1種類からなり、組成範囲がそれぞれ0≦x≦0.2、0≦y≦0.3、0≦z≦0.2又は0≦x≦0.2、0≦y≦0.2、0≦z≦0.1である銅酸化物超電導体であって、その結晶粒が広いc面を有する偏平状粒子であり、そのc面の面積の平方根のc方向厚みに対する比が6.7以上71以下の値又は8.4以上65以下の値を有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

(R1-xCax)(Ba1-yAy)2(Cu1-zMz)4O8の化学組成でRがNd、Sm、Eu、Gd、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Luの希土類元素とYのうち少なくとも1種類、AがCa、Sr、Laのうち少なくとも1種類、MがAl、Fe、Co、Gaのうち少なくとも1種類からなり、組成範囲がそれぞれ0≦x≦0.2、0≦y≦0.3、0≦z≦0.2である銅酸化物超電導体であって、その結晶粒が広いc面を有する偏平状粒子であり、そのc面の面積の平方根のc方向厚みに対する比が6.7以上71以下の値を有することを特徴とする銅酸化物超電導体。

IPC (7)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C01G 15/00 ZAA ,  C01G 49/00 ZAA ,  C01G 51/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  H01L 39/12 ZAA

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 特開平3-183619
  
• 特開昭64-079011