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J-GLOBAL ID：200903019458575221

陽子線利用中性子発生装置

Inventor： 中村 文人 ,  熊坂 勝行 ,  加藤 公平 ,  道下 秀紀 ,  林 克己 ,  坂下 元昭 ,  田中 弥
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所 ,  日立エンジニアリング株式会社
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998335274
Publication number (International publication number)：2000162399
Application date： Nov. 26, 1998
Publication date： Jun. 16, 2000
Summary：

【要約】【課題】本発明の目的は、冷却水に対する腐食性を向上させ、寿命が長く信頼性の高いターゲットを供給し、長期間安定して中性子を発生させることのできる中性子発生装置を供給することにある。【解決手段】上記目的を達成するために、ターゲット材に被覆材として、低水素吸収体で、冷却水に対する耐食性に優れ、中性子吸収が少なく、ターゲット材との物性ができるだけ近い物質を接合することにより、寿命が長くかつ長期間安定して中性子を発生することができる。

Claim (excerpt)：

Wの外表面を低水素吸収体であるNb,Pt,Au,Al,Be,Cr,ステンレス鋼またはその合金で被覆したことを特徴とするターゲットを有する陽子線利用中性子発生装置。

IPC (3)：

G21K 5/08 ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00

FI (3)：

G21K 5/08 N ,  H05H 3/06 ,  H05H 6/00

F-Term (7)：

2G085BA20 ,  2G085BE02 ,  2G085BE10 ,  2G085DA03 ,  2G085DA10 ,  2G085EA01 ,  2G085EA04