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J-GLOBAL ID：200903019464498891
複合セラミツクス回路基板
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
波多野 久 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991247592
Publication number (International publication number)：1993085848
Application date： Sep. 26, 1991
Publication date： Apr. 06, 1993
Summary：
【要約】【目的】本発明の目的は、回路基板全体の放熱特性を損うことなく、製造コストを低減することが可能であり、またセラミックス基板と銅回路板との接合強度が大きく、ヒートサイクル特性が優れた複合セラミックス回路基板を提供することにある。【構成】本発明に係る複合セラミックス回路基板は、熱伝導率が相互に異なる複数のセラミックス基板6,7を同一平面上に配置し、このセラミックス基板6,7の表裏両面に、Ti,ZrおよびHfから選択される少なくとも1種の活性金属とAgおよびCuから選択される少なくとも1種のろう材とを含有する接合剤を介して銅回路板3a,3bをそれぞれ一体に加熱接合して成り、熱伝導率が高いセラミックス基板7,7に形成された銅回路板3a,3bの表面に半導体素子4,4を接合して構成される。
Claim (excerpt)：
熱伝導率が相互に異なる複数のセラミックス基板を同一平面上に配置し、このセラミックス基板の表裏両面に、Ti,ZrおよびHfから選択される少なくとも1種の活性金属とAgおよびCuから選択される少なくとも1種のろう材とを含有する接合剤を介して銅回路板をそれぞれ一体に加熱接合して成り、熱伝導率が高いセラミックス基板に形成された銅回路板表面に半導体素子を接合したことを特徴とする複合セラミックス回路基板。
IPC (2)：
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