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J-GLOBAL ID：200903019471265185

水溶性プリフラックス、プリント回路基板及びプリント回路基板の金属の表面処理方法

Inventor： 大野 隆生 ,  赤池 信一
Applicant, Patent owner： タムラ化研株式会社
Agent (1)： 佐野 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995350022
Publication number (International publication number)：1997176524
Application date： Dec. 25, 1995
Publication date： Jul. 08, 1997
Summary：

【要約】【目的】QFP等のリードが狭ピッチの部品を実装するプリント回路基板のはんだプリコート層が浸食されない水溶性プリフラックス、その膜を形成したプリント回路基板、その回路の金属の表面処理方法を提供すること。【構成】官能基置換ベンズイミダゾール系化合物の可溶化剤としてアミノ酸等を用いた水溶性プリフラックス。その膜を形成したプリント回路基板、その回路の金属の表面処理方法。【効果】 上記目的を達成できる。

Claim (excerpt)：

下記一般式〔化1〕及び〔化2〕で表される化合物からなる群の少なくとも1つの化合物と、その水溶性塩を形成可能の第1級アミノ基、第2級アミノ基、第3級アミノ基及び窒素原子を含む環を持つ複素環の少なくとも1つを有しかつ酸性基を有する化合物からなる可溶化剤を含有する水溶性プリフラックス。【化1】(式中、X1 は同一又は異なりてハロゲン原子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、Y1 は炭素数1〜20個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、nは0〜4の整数を表す。)【化2】(式中、X2 、Y2 はそれぞれ同一又は異なりて炭素数1〜7個の直鎖又は分岐鎖のアルキル基、ハロゲン原子、アミノ基、ジ低級アルキルアミノ基、ヒドロキシ基、低級アルコキシ基、シアノ基、アセチル基、ベンゾイル基、カルバモイル基、ホルミル基、カルボキシル基、低級アルコキシカルボニル基又はニトロ基、n、pはそれぞれ0〜4の整数、mは1〜10の整数を表す。)

IPC (2)：

C09D 5/08 PQE ,  H05K 3/34 503

FI (2)：

C09D 5/08 PQE ,  H05K 3/34 503 A