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J-GLOBAL ID：200903019480746706

半導体装置

Inventor： 早崎 嘉城 ,  鈴村 正彦 ,  前田 光英 ,  鈴木 裕二 ,  白井 良史 ,  岸田 貴司 ,  ▲高▼野 仁路
Applicant, Patent owner： 松下電工株式会社
Agent (1)： 石田 長七 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996100858
Publication number (International publication number)：1997289316
Application date： Apr. 23, 1996
Publication date： Nov. 04, 1997
Summary：

【要約】【課題】電極配線を形成した場合の電界集中による耐圧低下が少なく高耐圧化が可能な半導体装置を提供する。【解決手段】半導体基板1上に絶縁層2を介して半導体層3が形成され、半導体層3内に、ドレイン領域6とP形のウェル領域5とが離間して形成され、ウェル領域5内にソース領域4が形成されている。ウェル領域5上には絶縁ゲート7が絶縁膜8を介して形成され、ドレイン領域6上にはドレイン電極61が形成されている。ソース領域4及びウェル領域5はドレイン領域6との距離が略一定になるようにドレイン領域6の周囲に絶縁領域15を除いて形成されている。絶縁領域15上にドレイン電極配線61aが配設されている。絶縁領域15は、ドレイン電極配線61a下方の絶縁膜8、ポリシリコン14、絶縁膜13、絶縁層2によって構成している。

Claim (excerpt)：

半導体層の主表面側で前記半導体層内に離間して形成された第2導電形のウェル領域及び第1導電形のドレイン領域と、前記ウェル領域内に形成された第1導電形のソース領域と、前記ソース領域と前記半導体層との間に介在する前記ウェル領域上にゲート絶縁膜を介して形成された絶縁ゲートと、前記ドレイン領域上に形成されたドレイン電極と、前記ソース領域上に形成されたソース電極と、前記絶縁ゲートに接続されたゲート電極とを備えた半導体装置であって、前記半導体層の内部に前記半導体層と電気的に絶縁された絶縁領域が前記ソース領域及び前記ウェル領域よりも離れた部位から前記ドレイン領域端まで形成され、前記ソース領域及び前記ウェル領域及び前記絶縁ゲートが絶縁領域を除いて前記ドレイン領域の周囲を囲むように形成され、前記ドレイン電極に電気的に接続されたドレイン電極配線が前記絶縁領域上又は前記絶縁領域内部に形成されて成ることを特徴とする半導体装置。

FI (2)：

H01L 29/78 301 D ,  H01L 29/78 301 X