高感度の高解像度i-線ホトレジスト

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner： ,
Agent (1)：萼経夫 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993144327
Publication number (International publication number)：1994067433
Application date： May. 24, 1993
Publication date： Mar. 11, 1994
Summary：

【要約】【目的】輻射線感受性光酸発生剤としてのオキシムスルホネートの使用方法を提供する。【構成】アルカリ性媒体中で現像可能であり且つ340ないし390ナノメーターの範囲内の波長の輻射線に対して感受性である化学的に増幅されたホトレジスト中の輻射線感受性光酸発生剤としての、所定構造のオキシムスルホネート〔例えば、α-(4-トシルオキシイミノ)-4-メトキシベンジルシアニド及びα-(トシルオキシイミノ)-4-チエニルシアニド〕の使用方法。【効果】高感度で高解像度の、化学的に増幅されたポジティブ機能性及びネガティブ機能性ホトレジストを容易に得ることができる。

Claim (excerpt)：

アルカリ性媒体中で現像可能であり且つ340ないし390ナノメーターの範囲内の波長の輻射線に対して感受性である化学的に増幅されたホトレジスト中の輻射線感受性光酸発生剤としての、次式(1):【化1】〔式中、Rはナフチル基、次式:【化2】で表わされる基を表わし;Arは非置換アリール基;又はニトロ基,クロロ基,ブロモ基,ヒドロキシル基,炭素原子数1ないし4のアルキル基,炭素原子数1ないし4のパーフルオロアルキル基,炭素原子数1ないし4のアルコキシ基及び酸分解可能な置換基からなる群から選択された置換基1個又はそれより多くを有するアリール基を表わし;R0 はR1 -X基又はR2 の何れかを表わし;Xは酸素原子又は硫黄原子を表わし;R1 は水素原子、炭素原子数1ないし4のアルキル基、又は非置換フェニル基;若しくはクロロ基,ブロモ基,炭素原子数1ないし4のアルキル基及び炭素原子数1ないし4のアルコキシ基からなる群から選択された基によって置換されたフェニル基を表わし;そしてR2 は水素原子、炭素原子数1ないし4のアルキル基又は酸分解可能な置換基を表わす〕で表わされるオキシムスルホネートの使用方法。

IPC (6)：

G03F 7/039 501 , C07C309/28 , G03F 7/004 503 , G03F 7/038 501 , H01L 21/027 , C07D333/24

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

特開平2-154266
特開平2-161444
特開平1-124848

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Cited by examiner (8)

特開平2-154266
特開平2-161444
特開平1-124848

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