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J-GLOBAL ID:200903019492726263

有機半導体材料、これを用いた有機トランジスタ、電界効果トランジスタ及びスイッチング素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2003099004
Publication number (International publication number):2004006782
Application date: Apr. 02, 2003
Publication date: Jan. 08, 2004
Summary:
【課題】特殊な配向技術を要せず、簡単な方法でキャリア移動度が高い有機電荷輸送性材料薄膜を形成し得る有機半導体材料を提供し、これを用いたスイッチング素子を提供する。【解決手段】主鎖と側鎖の間の結合が共役した分岐型共役高分子を含んでなることを特徴とする有機半導体材料。【選択図】 なし
Claim (excerpt):
主鎖と側鎖の間の結合が共役した分岐型共役高分子を含んでなることを特徴とする有機半導体材料。
IPC (3):
H01L51/00 ,  C08G61/12 ,  H01L29/786
FI (3):
H01L29/28 ,  C08G61/12 ,  H01L29/78 618B
F-Term (46):
4J032BA03 ,  4J032BA12 ,  4J032BA17 ,  4J032BB01 ,  4J032BB03 ,  4J032BC01 ,  4J032BC21 ,  4J032CA03 ,  4J032CG01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110BB03 ,  5F110CC01 ,  5F110CC03 ,  5F110CC05 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110GG05 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG42 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110QQ06

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