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J-GLOBAL ID：200903019502151574

紫外線照射後処理方法

Inventor： 安藤 謙二 ,  鈴木 康之 ,  枇榔 竜二
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (1)： 若林 忠
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994086408
Publication number (International publication number)：1995294705
Application date： Apr. 25, 1994
Publication date： Nov. 10, 1995
Summary：

【要約】【目的】 低温プロセスで低光吸収膜が得られる紫外線照射後処理方法を提供する。【構成】 蒸着、CVD又はスパッタによって形成された主に波長が400nm以下で使用される光学膜において、成膜後、波長が400nm以下190nm以上の紫外光を照射することを特徴とする紫外線照射後処理方法。

Claim (excerpt)：

蒸着、CVD又は、スパッタによって形成された、主に波長が400nm以下で使用される光学膜において、成膜後、波長が400nm以下190nm以上の紫外光を照射することを特徴とする紫外線照射後処理方法。

IPC (4)：

G02B 1/11 ,  B29C 71/04 ,  C23C 14/58 ,  G02B 5/28