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J-GLOBAL ID：200903019503076002

半導体素子用のPd極細線

Inventor： 伊賀 祐人 ,  永松 一郎
Applicant, Patent owner： 田中電子工業株式会社
Agent (1)： 早川 政名
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991320426
Publication number (International publication number)：1993160185
Application date： Dec. 04, 1991
Publication date： Jun. 25, 1993
Summary：

【要約】【目的】所定の組成範囲でボールの真球度及び高温接合強度を改善すること。【構成】Mo,Wの1種又は2種を10〜500 at.ppmを添加し、残部が不可避不純物を含み純度99.9%以上のPdからなる半導体素子用のPd極細線。

Claim (excerpt)：

Mo,Wの1種又は2種を10〜500 at.ppmを添加し、残部が不可避不純物を含み純度99.9%以上のPdからなる半導体素子用のPd極細線。

IPC (2)：

H01L 21/60 301 ,  H01L 21/321