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J-GLOBAL ID:200903019505394761
イオン注入装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
井上 俊夫
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1992080512
Publication number (International publication number):1993251030
Application date: Mar. 02, 1992
Publication date: Sep. 28, 1993
Summary:
【要約】【目的】 メンテナンスを容易にかつ円滑に行うこと。【構成】 チャンバに装着されるバックプレート3に、支柱32〜34、中間プレート6及び支柱61〜64を介してイオン源装置2を保持させる。またイオン源装置2の電子生成室21のガス入口に放電ガス供給管G1を連結させる。一方イオン源装置2のイオン生成室22の側面のガス入口に、原料ガス供給管G2を導入すると共に、イオン生成室22の背面のガス入口に、中間プレ-ト6の孔部60を貫通しているベーパライザ7を導入させ、原料ガス供給管G2及びベーパライザ7の他端を夫々バックプレート3にシール部材31により気密に固定する。
Claim (excerpt):
真空容器に装着される保持体に、支持部材を介してイオン源装置が保持され、このイオン源装置内には、放電ガスをプラズマ化して電子を生成するための電子生成室と、前記電子の衝突により原料ガスをプラズマ化してイオンを生成するためのイオン生成室とを備えたイオン注入装置において、原料ガス供給管と、固体原料を昇華して原料ガスを発生させるベーパライザとを前記保持体に保持させ、前記イオン生成室に、原料ガス供給管とベーパライザのガス入口を導入したことを特徴とするイオン注入装置。
IPC (5):
H01J 37/317
, H01J 27/08
, H01J 37/08
, H01J 49/12
, H01L 21/265
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