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J-GLOBAL ID：200903019516512936
イメージセンサ
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小鍜治 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991230137
Publication number (International publication number)：1993067761
Application date： Sep. 10, 1991
Publication date： Mar. 19, 1993
Summary：
【要約】【目的】 半導体イメージセンサチップを、従来の複雑な金属細線による配線(ワイヤーボンド)作業を行なわず、また、バンプ電極を形成することなく、簡単、短時間で基板に実装し、信頼性が高く、しかも安価なイメージセンサを提供する。【構成】 表面にJIS B 0601表記法で中心線平均粗さRa=(3.2〜0.4)a、最大高さRmax=(6.3〜0.8)S程度の凹凸を設けた回路導体層12をその表面に有する透光性基板11に、光硬化型絶縁樹脂15を介して、受光素子17を有する半導体イメージセンサチップ13をフェイスダウンで、その電極14と回路導体層12とが当接するように実装して、イメージセンサを構成する。
Claim (excerpt)：
表面上に回路導体層を形成した透光性基板と、この透光性基板の表面上に、光硬化型絶縁樹脂を介して実装した受光素子を有する半導体素子を乗せ、上記半導体素子はフェイスダウンで、その素子上に形成された取り出し電極が上記回路導体層に当接する構造をしたイメージセンサにおいて、少なくとも上記回路導体層の表面が粗されている事を特徴とするイメージセンサ。
IPC (3)：
H01L 27/14
, H01L 21/60 311
, H04N 1/028
