Pat

J-GLOBAL ID：200903019517027497

エキシマレーザ加工方法及び加工された基板

Inventor： 原野 佳津子 ,  太田 進啓 ,  今井 貴浩
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (1)： 青木 秀實 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996096143
Publication number (International publication number)：1997253877
Application date： Mar. 25, 1996
Publication date： Sep. 30, 1997
Summary：

【要約】【課題】 エキシマレーザ光を用いてダイヤモンド、窒化珪素等硬質セラミック類に対してアスペクト比の高い穿孔、切断、溝加工を行うのに必要な条件を求める。【解決手段】 被加工体表面にマスクにより切り出したレーザ光を投影して穿孔、切断、または溝加工する方法において、レーザ発振器より発振される際のレーザ光の広がり角度が1×10-2ミリラジアン以上、5×10-1ミリラジアン以下の範囲とし、レーザはパルス状とし、レーザの1パルス当りのエネルギー密度を10J/cm2 以上、103 J/cm2 以下とし、発振波長が190nm以上、310nm以下の範囲にあるエキシマレーザ光を使用し、レーザ光により加工される箇所とマスク投影の結像位置を焦点深度の50%以下に保ちながら加工を行う。

Claim (excerpt)：

被加工体表面にマスクにより切り出したレーザ光を投影して穿孔加工、切断加工、または溝加工する方法において、レーザ発振器より発振される際のレーザ光の広がり角度が1×10-2 ミリラジアン(mrad)以上、5×10-1 ミリラジアン(mrad)以下の範囲にあり、レーザがパルス状レーザであり、発振波長が190nm以上、310nm以下の範囲にあるエキシマレーザ光を使用し、加工時のレーザの1パルス当たりのエネルギー密度が、10J/cm2 以上、103 J/cm2 以下であり、あるいは、エネルギー密度が、109 W/cm2 以上、1011W/cm2 以下であり、レーザ光により加工される箇所とマスク投影の結像位置を焦点深度の50%以下の範囲に保って加工し、下記に示す式で表されるアスペクト比(R)が20≦R≦50の範囲にある加工端を得る事を特徴とするエキシマレーザ加工方法。R=L/(D1-D2)R ;アスペクト比L ;加工深さD1; 加工幅(レーザ照射側、表面位置)D2; 加工幅(照射反対側、表面位置)

IPC (6)：

B23K 26/00 ,  B23K 26/00 320 ,  B23K 26/00 330 ,  B01J 19/12 ,  B23K 26/06 ,  B28D 5/00

FI (6)：

B23K 26/00 G ,  B23K 26/00 320 E ,  B23K 26/00 330 ,  B01J 19/12 B ,  B23K 26/06 E ,  B28D 5/00 Z