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J-GLOBAL ID：200903019517738091

ペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置とその製造方法及び強誘電体キャパシタ

Inventor： 藤木 充司 ,  クロス ジェフリー スコット ,  塚田 峰春
Applicant, Patent owner： 富士通株式会社
Agent (1)： 高橋 敬四郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998293698
Publication number (International publication number)：1999195768
Application date： Oct. 15, 1998
Publication date： Jul. 21, 1999
Summary：

【要約】【課題】 ペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置とその製造方法及び強誘電体キャパシタに関し、量産に適したペロブスカイト型酸化物膜を含む電子装置またはその製造方法を提供する。【解決手段】 第1の温度の下地表面上に、減圧雰囲気下でペロブスカイト型の第1の導電性酸化物膜を形成する工程と、前記第1の温度より高い第2の温度、かつ酸素を含む酸化性雰囲気中で前記第1の導電性酸化物膜の熱処理を行う工程とを有する。

Claim (excerpt)：

(a)第1の温度の下地表面上に、減圧雰囲気下でペロブスカイト型の第1の導電性酸化物膜を形成する工程と、(b)前記第1の温度より高い第2の温度、かつ酸素を含む酸化性雰囲気中で前記第1の導電性酸化物膜の熱処理を行う工程とを有する電子装置の製造方法。

IPC (7)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 21/283 ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792

FI (4)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 21/283 D ,  H01L 27/10 451 ,  H01L 29/78 371