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J-GLOBAL ID：200903019530970831

半導体薄膜の製造装置

Inventor： 橋本 治寿 ,  酒井 総一 ,  西脇 秀則
Applicant, Patent owner： 三洋電機株式会社
Agent (1)： 鳥居 洋
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995041118
Publication number (International publication number)：1996236456
Application date： Feb. 28, 1995
Publication date： Sep. 13, 1996
Summary：

【要約】【目的】 この発明は、トレイによる不純物の持ち込みをなくし、半導体薄膜中の欠陥の発生を防止する半導体薄膜の製造装置を提供することを目的とする。【構成】 この発明は、トレイ7に基板6を保持し、仕込室1、反応室2、3、4、取り出し室5の順に搬送し、反応室2、3、4で基板6上に半導体薄膜を形成する半導体膜膜の製造装置であって、取り出し室5から排出されたトレイ7を仕込室1まで大気とは遮蔽状態に保持されたまま移送するトレイ搬送室9を設けた。

Claim (excerpt)：

トレイに基板を保持し、仕込室、反応室、取り出し室の順に搬送し、反応室で基板上に半導体薄膜を形成する半導体膜膜の製造装置であって、前記取り出し室から排出されたトレイを仕込室まで大気とは遮蔽状態に保持されたまま移送する移送経路を設けたことを特徴とする半導体薄膜の製造装置。

IPC (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 ,  F24F 7/06 ,  H01L 21/68 ,  H01L 31/04

FI (5)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/44 F ,  F24F 7/06 C ,  H01L 21/68 A ,  H01L 31/04 V