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J-GLOBAL ID：200903019531730370
太陽電池素子とその製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
鵜沼 辰之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991231674
Publication number (International publication number)：1993075149
Application date： Sep. 11, 1991
Publication date： Mar. 26, 1993
Summary：
【要約】【目的】 裏面接触シリコン太陽電池の高効率化と低コスト化【構成】 反受光面側に谷部122と頂部121が形成されたn型導電層もしくはp型導電層のシリコン基板14と、前記頂部に形成され前記導電層よりも高濃度の不純物を含む第3の層16と、該第3の層の表面近傍に形成された点状のp+導電層13と、p+導電層13に接する点状のアルミニウムシリコン合金層15と、前記第3の層16にp+導電層13及び点状のアルミニウムシリコン合金層15を介して接触し第3の層16の他の部分とは酸化膜3で絶縁された電極5と、前記谷部の表面近傍に形成された点状のp+導電層13と、該p+導電層13に接する点状のアルミニウムシリコン合金層15と、前記シリコン基板の谷部に点状のp+導電層13及び点状のアルミニウムシリコン合金層15を介して接触し谷部の他の部分とは酸化膜3で絶縁された電極6とを含んで構成された太陽電池素子。【効果】
Claim (excerpt)：
受光面となる一方の主表面、一方の主表面とは反対側に位置し頂部と谷部とからなる他方の主表面、一方の主表面に隣接する小さな点状のp型導電性の第1、第1の層に隣接する第1の層と反対の導電性のn型の第2の層、第1の層に隣接する小さな点状のp型不純物のアルミニウムシリコン合金層、頂部に隣接する第2の層より高不純物濃度で、第1の層より厚い第3の層からなる半導体基体と、半導体基板の他方の主表面の頂部において第3層にアルミニウムシリコン合金層及び第1の層を介しpn接合で接触し、酸化膜によりn型導電層とは絶縁されている第1の主電極と半導体基板の他方の主表面の谷部において第2の層にアルミニウムシリコン合金層及び第1の層を介してpn接合で接触し、酸化膜によりn型導電層とは絶縁されている第2の主電極を具備することを特徴とする太陽電池素子。
FI (2)：
H01L 31/04 A
, H01L 31/04 H
