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J-GLOBAL ID：200903019532225378

高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法

Inventor： 畠山 潤 ,  渡辺 淳 ,  原田 裕次
Applicant, Patent owner： 信越化学工業株式会社
Agent (1)： 小島 隆司 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000249273
Publication number (International publication number)：2001139641
Application date： Aug. 21, 2000
Publication date： May. 22, 2001
Summary：

【要約】【解決手段】 下記一般式(1)で示される繰り返し単位と酸不安定基を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2の少なくとも一つがフッ素原子又はトリフルオロメチル基であり、残りは水素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、R3、R4は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素置換アルキル基を示す。また、R3とR4とが結合して環を形成してもよい。)【効果】 本発明のレジスト材料は、特にF2エキシマレーザーの露光波長での吸収が小さく、かつアルカリ現像可能なレジスト材料となり得るもので、微細でしかも基板に対して垂直なパターンを容易に形成でき、このため超LSI製造用の微細パターン形成材料として好適であり、本発明の高分子化合物は、かかるレジスト材料のベースポリマーとして有効である。

Claim (excerpt)：

下記一般式(1)で示される繰り返し単位と酸不安定基を有する繰り返し単位とを含むことを特徴とする高分子化合物。【化1】(式中、R1、R2の少なくとも一つがフッ素原子又はトリフルオロメチル基であり、残りは水素原子又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基であり、R3、R4は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状もしくは環状のアルキル基又はフッ素置換アルキル基を示す。また、R3とR4とが結合して環を形成してもよい。)

IPC (5)：

C08F234/00 ,  C08F 8/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/027

FI (5)：

C08F234/00 ,  C08F 8/00 ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/039 601 ,  H01L 21/30 502 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• フツ素含有共重合体の製造法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-251523   Applicant：日立化成工業株式会社