半導体装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中島洋治 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1991211745
Publication number (International publication number)：1993055560
Application date： Aug. 23, 1991
Publication date： Mar. 05, 1993
Summary：

【要約】【目的】高耐圧MOSFETに関し,ゲート絶縁膜を厚くすることなく,かつオフセット構造も必要としない素子構造を提供する。【構成】 n-Si基板11の表面にp+ ソース領域12およびp+ ドレイン領域13が形成され,p+ ソース領域12およびp+ ドレイン領域13の間のSi基板11上にゲート絶縁膜14,およびポリシリコンから成るゲート電極15,16が形成されている。SiO2 から成るゲート絶縁膜14は,通常の厚さである。ポリシリコンから成るゲート電極は,2層から成る。ゲート絶縁膜に近い方のポリシリコンゲート15は,Si基板11もしくはソース領域12とドレイン領域13との間に高電圧が印加された際に,空乏層17が形成される程度に,不純物が低濃度にドープされている。もう一方のポリシリコンゲート16は,高濃度に不純物がドープされている。

Claim (excerpt)：

一導電型の半導体基板の表面に反対導電型で高不純物濃度のソース領域およびドレイン領域が形成され,ソース領域およびドレイン領域の間の半導体基板上にゲート絶縁膜,およびポリシリコンから成るゲート電極が形成されたMOS型電界効果トランジスタであって,ゲート絶縁膜は,通常のMOS型電界効果トランジスタで用いられるものと同じ厚さであり,ポリシリコンから成るゲート電極は,2層から成り,ゲート絶縁膜に近い方のポリシリコンゲートは,半導体基板もしくはソース領域とドレイン領域との間に高電圧が印加された際に,空乏層が形成される程度に,不純物が低濃度にドープされており,もう一方のポリシリコンゲートは,高濃度に不純物がドープされていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4)：

H01L 29/784 , H01L 27/088 , H01L 29/44 , H01L 29/46

FI (2)：

H01L 29/78 301 G , H01L 27/08 102 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭62-179768
特開昭64-046980
特開昭60-057972

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