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J-GLOBAL ID：200903019544419550

ガス処理装置及びその洗浄方法

Inventor： 大場 隆之 ,  鈴木 寿哉 ,  村上 誠志
Applicant, Patent owner： 東京エレクトロン株式会社 ,  富士通株式会社
Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993220680
Publication number (International publication number)：1995058034
Application date： Aug. 11, 1993
Publication date： Mar. 03, 1995
Summary：

【要約】【目的】 ガス処理例えばCVD時に生成された反応生成物が処理室内に付着すると汚染源になるため、これを容易に洗浄すること。【構成】 気密構造の処理室1の天井部に洗浄液の注入口4及び通気口5を設けると共に、処理室1の底面に排出口6を設け、これらに夫々バルブV4〜V6が介装された洗浄液注入管41、通気管51及び洗浄液排出管61を接続する。CVD処理後にバルブV4及びバルブV5を開いて洗浄液例えば純水を処理室1内に注入して満たし、これにより反応生成物例えばNH4 Clを加水分解する。次いでバルブ6を開いて洗浄液を排出した後、ヒータ7をオンにして処理室1内を加熱しながら、真空ポンプ51により処理室1内を真空排気する。

Claim (excerpt)：

気密構造の処理室内に処理ガスを供給し、被処理体に対して処理を行うガス処理装置において、前記処理室内に洗浄液を注入するための注入口と、前記処理室内の洗浄液を排出するための排出口と、前記洗浄液の排出後に処理室内を加熱して乾燥させるための加熱手段と、を備えてなることを特徴とするガス処理装置。

IPC (3)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 351

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平2-145767
  
• 特開平3-097868
  
• 特開昭61-176113