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J-GLOBAL ID：200903019567493065
微細導電パターンの形成方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992332510
Publication number (International publication number)：1994215329
Application date： Nov. 18, 1992
Publication date： Aug. 05, 1994
Summary：
【要約】【目的】本発明は、比較的厚い膜厚である微細導電パターンを、簡単に且つ高精度で、確実に形成し得るようにした、微細導電パターンの形成方法を提供することを目的とする。【構成】基板11の上面に絶縁層12を形成し、該絶縁層の上面にパターンレジスト13を形成した後、第一のエッチング工程にて、該パターンレジストの形状に基づいて、該絶縁層12を下方に向かってエッチングし、さらに第二のエッチング工程にて、該絶縁層のエッチングにより形成された溝部12aの側壁を、側方に向かってエッチングすることにより、該パターンレジスト13の下縁にオーバーハング部13bを画成した後、その上から、導体14を蒸着させて導体膜を形成し、該パターンレジスト上面に載っている導体膜14bをリフトオフすることにより、微細導電パターンを形成するように、微細導電パターンの形成方法を構成する。
Claim (excerpt)：
基板の上面に絶縁層を形成し、該絶縁層の上面にパターンレジストを形成した後、第一のエッチング工程にて、該パターンレジストの形状に基づいて、該絶縁層を下方に向かってエッチングし、さらに第二のエッチング工程にて、該絶縁層のエッチングにより形成された溝部の側壁のうち、少なくとも上端付近を、側方に向かってエッチングすることにより、該パターンレジストの下縁にオーバーハング部を画成した後、その上から、導体を蒸着させて導体膜を形成し、該パターンレジスト上面に載っている導体膜をリフトオフすることにより、微細導電パターンを形成するようにしたことを特徴とする、微細導電パターンの形成方法。
IPC (3)：
G11B 5/31
, H01L 21/3205
, C23F 4/00
