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J-GLOBAL ID：200903019579780612

SBT薄膜の形成方法

Inventor： 赤澤 方省 ,  嶋田 勝
Applicant, Patent owner： 日本電信電話株式会社
Agent (3)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005224069
Publication number (International publication number)：2007042787
Application date： Aug. 02, 2005
Publication date： Feb. 15, 2007
Summary：

【課題】強誘電体メモリデバイスの作成が容易に行える半導体基板の上であっても、c軸方向以外の特定の方向へ配向したSBT薄膜が形成できるようにする。【解決手段】ECRスパッタ法により基板温度(成膜温度)を370°C程度とした状態で、ストロンチウム(Sr)とビスマス(Bi)とタンタル(Ta)と酸素(O)とからなる金属酸化物(SBT)を基板101の上に堆積する。次に、酸素雰囲気中において、蛍石構造のSBT薄膜102(基板101)を800°C程度に加熱し、基板101の上に、<115>方向に配向したアウリビリウス(Aurivillus)構造のSBT薄膜103が形成された状態とする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

所定の組成比で供給された不活性ガスと酸素ガスとからなるプラズマを生成し、ストロンチウムとビスマスとタンタルと酸素とから構成されたターゲットに負のバイスを印加して前記プラズマより発生した粒子を前記ターゲットに衝突させてスパッタ現象を起こし、前記ターゲットを構成する材料を基板の上に堆積することで、ストロンチウムとビスマスとタンタルと酸素とからなるSBT膜が前記基板の上に形成された状態とするスパッタ工程を備え、 このスパッタ工程において、前記基板が所定の温度以上に加熱された状態とし、<111>方向に配向されたSBT薄膜が前記基板の上に形成された状態とする ことを特徴とするSBT薄膜の形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/316 ,  C23C 14/08 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  C23C 14/34

FI (4)：

H01L21/316 Y ,  C23C14/08 K ,  H01L27/10 444C ,  C23C14/34 K

F-Term (17)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC48 ,  4K029EA08 ,  4K029GA01 ,  5F058BC03 ,  5F058BF14 ,  5F058BG03 ,  5F058BH03 ,  5F083FR00 ,  5F083JA17 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33