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J-GLOBAL ID：200903019584328728

光電変換素子およびその製造方法ならびに電子装置およびその製造方法

Inventor：
諸岡 正浩

About 諸岡 正浩

, 
鈴木 祐輔

About 鈴木 祐輔

, 
野田 和宏

About 野田 和宏


Applicant, Patent owner：
ソニー株式会社

About ソニー株式会社


Agent (2)： 杉浦 正知 ,  森 幸一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003001969
Publication number (International publication number)：2004214129
Application date： Jan. 08, 2003
Publication date： Jul. 29, 2004
Summary：
【課題】半導体微粒子からなる半導体電極の基板に対する密着性および柔軟性が高く、湾曲や伸縮に対する耐久性が高く、しかも光電変換特性に優れた光電変換素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体微粒子からなる半導体電極2を用いる光電変換素子において、結着剤を含む、半導体微粒子が分散されたペースト6を透明導電性基板1上に塗布し、ペースト6を乾燥させた後、30°C以上、透明導電性基板1の軟化温度以下の温度、または、半導体微粒子に増感色素を担持させる場合には30°C以上、透明導電性基板1の軟化温度および増感色素の失活温度のうちの低い方の温度以下の温度に加熱しながらそのペースト6をプレスすることにより半導体微粒子を透明導電性基板1上に圧着して半導体電極2を形成する。【選択図】 図3
Claim (excerpt)：
半導体微粒子からなる半導体電極を用いる光電変換素子の製造方法において、 結着剤を含む、半導体微粒子が分散されたペーストを透明導電性基板上に塗布し、 上記ペーストを乾燥させた後、30°C以上、上記透明導電性基板の軟化温度以下の温度に加熱しながら上記ペーストをプレスすることにより上記半導体微粒子を上記透明導電性基板上に圧着して上記半導体電極を形成するようにした ことを特徴とする光電変換素子の製造方法。
IPC (5)：
H01M14/00 ,  H01L21/208 ,  H01L21/288 ,  H01L21/368 ,  H01L31/04
FI (5)：
H01M14/00 P ,  H01L21/208 Z ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/368 Z ,  H01L31/04 Z
F-Term (30)：
4M104BB06 ,  4M104BB09 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104GG05 ,  5F051AA14 ,  5F051BA18 ,  5F051CB13 ,  5F051CB24 ,  5F051FA03 ,  5F051FA10 ,  5F051GA05 ,  5F053AA06 ,  5F053AA50 ,  5F053BB01 ,  5F053BB09 ,  5F053DD20 ,  5F053FF01 ,  5F053JJ03 ,  5F053LL05 ,  5F053RR05 ,  5F053RR13 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032BB02 ,  5H032BB05 ,  5H032EE04 ,  5H032EE07 ,  5H032EE16 ,  5H032HH06
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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