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J-GLOBAL ID：200903019590485797

半導体装置

Inventor： 横尾 正宏 ,  ピーター シー キム
Applicant, Patent owner： 住友金属鉱山株式会社 ,  エヌチップ インコーポレイテッド
Agent (1)： 鴨田 朝雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996179607
Publication number (International publication number)：1998027880
Application date： Jul. 09, 1996
Publication date： Jan. 27, 1998
Summary：

【要約】【課題】 チップに特別な加工を施したり、チップのサイズや電極パッドの配置等に格別な制限を設けなくとも、同一サイズのチップを三次元的に積層できる半導体装置を提供することにある。【解決手段】 本発明は、複数個のチップが基板上に積層された半導体装置において、該チップの周縁部に電極パッドが形成され、かつ電極パッドと該基板とがボンディングワイヤで接続されており、チップ相互間には厚さ25μm以上、300μm以下の接着層を介在させている。

Claim (excerpt)：

複数個の半導体素子が基板上に積層された半導体装置であって、該半導体素子の周縁部に電極パッドが形成され、かつ電極パッドと該基板とがボンディングワイヤで接続されており、半導体素子相互間には厚さ25μm以上、300μm以下の接着層が介在していることを特徴とする半導体装置。

IPC (3)：

H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18