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J-GLOBAL ID：200903019601665628

半導体装置及びその製造方法

Inventor： 中村 彰男
Applicant, Patent owner： 沖電気工業株式会社
Agent (1)： 中島 淳 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998090137
Publication number (International publication number)：1999289023
Application date： Apr. 02, 1998
Publication date： Oct. 19, 1999
Summary：

【要約】【課題】 半導体装置の回路部分の腐食劣化が発生しにくく、かつ熱による動作の遅延を抑えることができる半導体装置及びその製造方法を得る。【解決手段】 (A)、(B)に示すように、まず、シリコンウェハを用いて製作したシリコン基板12の略中央部に凹部18を形成した後、凹部18を形成した側の面の外周部近傍から凹部18の内部にかけて配線パターン20を形成し、半導体ペレット22を凹部18の略中央に積載する。次に、電極24と配線パターン20とを金属ワイヤ26によって接続した後、凹部18内に樹脂28を充填し、配線パターン20のシリコン基板12の外周部側の端部近傍にバンプ端子16を形成する。(C)は、以上の工程で製造された半導体装置10Aを外部基板14上に実装した状態を示す。

Claim (excerpt)：

片面に凹部が形成されたシリコン基板と、前記シリコン基板の前記凹部が形成された面の外周部近傍から前記凹部の内部にかけて形成された配線パターンと、前記シリコン基板の前記凹部内に位置するように配置されると共に、電極が前記配線パターンの前記凹部内の部位に接続部材により電気的に接続された半導体ペレットと、前記半導体ペレット、前記配線パターンの前記接続部材による接続部、及び前記接続部材を封止成型する樹脂と、を備えた半導体装置。