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J-GLOBAL ID：200903019601738498
半導体光素子
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
小池 龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992271038
Publication number (International publication number)：1994097601
Application date： Sep. 14, 1992
Publication date： Apr. 08, 1994
Summary：
【要約】【目的】スペクトル線幅の劣化を伴わず導波路の屈折率の絶対量を大きくすることができる半導体光素子を提供することを目的とする。【構成】活性層と活性層と光結合された導波路とからなる半導体光素子において、導波路の一部を加熱し、加熱された導波路部分と加熱されていない素子の部分を熱的に遮断する構成を採用した。
Claim (excerpt)：
活性層と、活性層と光結合された導波路とからなる半導体光素子において、前記導波路の少なくとも一部を加熱する加熱手段と、前記加熱手段によって加熱された導波路部分と加熱されていない素子の部分とを熱的に遮断する手段とを有する半導体光素子。
IPC (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (9)
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