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J-GLOBAL ID：200903019638850212

酸化物超電導体の製造方法

Inventor： 大石 朗 ,  豊田 一郎
Applicant, Patent owner： 三菱重工業株式会社
Agent (1)： 内田 明 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995263106
Publication number (International publication number)：1997110426
Application date： Oct. 11, 1995
Publication date： Apr. 28, 1997
Summary：

【要約】【課題】 理論密度に近い高密度で安定した均一な超電導特性と高い臨界電流密度を有する酸化物超電導体が得られるY系酸化物超電導体の製造方法を提供すること。【解決手段】 Y、Ba、Cu及びOからなる酸化物超電導体の半溶融凝固法による製造方法において、結晶育成前駆体に熱間加工を施した後、結晶育成を行うことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。熱間加工を920〜1100°Cの温度で行うことを好ましい態様とする。

Claim (excerpt)：

Y、Ba、Cu及びOからなる酸化物超電導体の半溶融凝固法による製造方法において、結晶育成前駆体に熱間加工を施した後、結晶育成を行うことを特徴とする酸化物超電導体の製造方法。

IPC (5)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  C04B 35/00 ZAA ,  C30B 29/22 501 ,  C30B 29/22

FI (5)：

C01G 3/00 ZAA ,  C01G 1/00 S ,  C30B 29/22 501 A ,  C30B 29/22 501 B ,  C04B 35/00 ZAA