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J-GLOBAL ID：200903019643287178

金属材料膜の形成及び加工方法並びに装置

Inventor： 三谷 勝美 ,  山崎 学 ,  吉田 尚美 ,  前田 祐二
Applicant, Patent owner： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
Agent (1)： 長谷川 芳樹 (外3名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996138880
Publication number (International publication number)：1997330887
Application date： May. 31, 1996
Publication date： Dec. 22, 1997
Summary：

【要約】【課題】 金属膜の欠陥に起因する故障率が低下させ半導体素子の収率を向上させる。【解決手段】 膜形成のための密閉容器を用いて、密閉容器内に載置された基板の表面の上に、金属材料から成る金属材料膜を形成する第1のステップと、第1のステップの終了後、密閉容器内に、アルゴン(Ar)と窒素(N2 )とヘリウム(He)とから成る群から1つ以上選択されるパージガスと、一般式[SinH2n+2 ]である1つ以上のシランガス(水素化ケイ素ガス)とを備えるガス混合体を供給し、金属材料膜に前記ガス混合体を所定の時間接触させる第2のステップと、リソグラフィ技術により金属材料膜を加工して、所望の配線パターンを有する配線を得る第3のステップとを有することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

金属材料膜の形成方法であって、膜形成のための密閉容器の中に配置された基板の表面の上に、金属材料から成る金属材料膜を形成する第1のステップと、前記第1のステップの終了後、前記密閉容器内に、アルゴン(Ar)と窒素(N2 )とヘリウム(He)とから成る群から1つ以上選択されるパージガスと、一般式[SinH2n+2 ]である1つ以上のシランガスとを備えるガス混合体を供給し、前記金属材料膜に前記ガス混合体を所定の時間接触させる第2のステップと、リソグラフィ技術により前記金属材料膜を加工して、所望の配線パターンを有する配線を得る第3のステップと、を有する金属材料膜の形成及び加工方法。

IPC (3)：

H01L 21/28 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/3205

FI (3)：

H01L 21/28 B ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/88 Z