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J-GLOBAL ID：200903019656621573

半導体装置の製造方法

Inventor： 中別府 健一 ,  青木 秀充
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 金田 暢之 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999257618
Publication number (International publication number)：2001085521
Application date： Sep. 10, 1999
Publication date： Mar. 30, 2001
Summary：

【要約】【課題】 銅膜のような腐食しやすい金属膜の変質を防止しつつ、レジスト変質層のような除去困難な残渣を効率的に除去することのできるレジスト剥離技術を提供すること。【解決手段】 レジスト膜の少なくとも一部を剥離処理した後、ベンゾトリアゾール誘導体を含むレジスト剥離液を用いてウエット処理を行い、レジスト変質層16を除去する。

Claim (excerpt)：

(a)半導体基板上に銅系金属膜を形成した後、その上に絶縁膜を形成し、さらにその上にレジスト膜を形成する工程と、(b)前記レジスト膜をマスクとしてドライエッチングを行い、前記絶縁膜中に前記銅系金属膜に達する凹部を設ける工程と、(c)前記レジスト膜の少なくとも一部を剥離処理する工程と、(d)ベンゾトリアゾール誘導体を含むレジスト剥離液を用いてウエット処理を行う工程と、(e)前記凹部内に導電膜を埋め込む工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5)：

H01L 21/768 ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/306 ,  H01L 21/3213

FI (5)：

H01L 21/90 A ,  G03F 7/42 ,  H01L 21/30 572 B ,  H01L 21/306 D ,  H01L 21/88 C

F-Term (47)：

2H096AA25 ,  2H096CA05 ,  2H096CA20 ,  2H096HA23 ,  2H096HA30 ,  2H096LA03 ,  5F033HH11 ,  5F033HH21 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ21 ,  5F033KK11 ,  5F033KK21 ,  5F033MM01 ,  5F033MM02 ,  5F033MM12 ,  5F033NN06 ,  5F033PP27 ,  5F033PP28 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ11 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ20 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ92 ,  5F033QQ96 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033TT02 ,  5F033XX18 ,  5F033XX21 ,  5F033XX24 ,  5F033XX34 ,  5F043AA26 ,  5F043BB30 ,  5F043CC16 ,  5F043CC20 ,  5F043DD12 ,  5F043DD15 ,  5F043DD30 ,  5F043FF10 ,  5F043GG02 ,  5F043GG10 ,  5F046MA02 ,  5F046NA16 ,  5F046NA19