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J-GLOBAL ID：200903019659642873

水素分離構造体およびその製造方法

Inventor： 吉田 健太郎 ,  上村 卓 ,  井原 寛彦
Applicant, Patent owner： 住友電気工業株式会社
Agent (3)： 鎌田 文二 ,  東尾 正博 ,  鳥居 和久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002361036
Publication number (International publication number)：2004188347
Application date： Dec. 12, 2002
Publication date： Jul. 08, 2004
Summary：

【課題】水素透過性能が高く、また、400°Cでも経時劣化が抑えられる水素分離構造体を提供する。【解決手段】機械加工または研磨により成形された金属基材5の両面をエッチングして基材表面の水素透過障害層を無くし、またはその水素透過障害層を減少させ、かかる処理を施した金属基材5の両面にPdまたはPd合金の膜を形成してサンドイッチ構造の水素分離構造体7を作製する。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

機械加工または研磨により成形された金属基材の両面にPdまたはPd合金の膜を有するサンドイッチ構造の水素分離構造体において、前記金属基材とこの金属基材に接する前記PdまたはPd合金の膜との界面部に、前記金属基材の表面に形成された水素透過の妨げとなる層が無い、またはその層が減少していることを特徴とする水素分離構造体。

IPC (3)：

B01D71/02 ,  B01D69/12 ,  C01B3/56

FI (3)：

B01D71/02 500 ,  B01D69/12 ,  C01B3/56 Z

F-Term (19)：

4D006GA41 ,  4D006MA06 ,  4D006MA09 ,  4D006MA31 ,  4D006MA40 ,  4D006MB04 ,  4D006MC02 ,  4D006MC02X ,  4D006NA31 ,  4D006NA33 ,  4D006NA50 ,  4D006PA01 ,  4D006PB18 ,  4D006PB66 ,  4D006PC80 ,  4G140FA06 ,  4G140FB09 ,  4G140FC01 ,  4G140FE06

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 水素透過膜及びその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-103696   Applicant：東京瓦斯株式会社
• 水素分離材料及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平11-358431   Applicant：住友金属鉱山株式会社